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J-GLOBAL ID：200903003355084315

電気光学デバイスを製造する方法

Inventor： マーク バーナード チョレワ ,  ジョン ウィリアム オーゼンバッハ ,  ブリアン フィリップ セグナー
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994322049
Publication number (International publication number)：1995211674
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ウェハーを、実質的に刻み目のない、高品質と歩留のミラー面を有するバーに分割する電気光学デバイス半導体を製造するための改善された方法を提供すること。【構成】 ウェハーをエピタキシアル側から基板側の刻み込マークの下へ叩くことにより、ウェハーを半導体材料のバーに分割するために分割装置が用いられる半導体電気光学デバイスを製造する方法である。角度をもって形成された一連の溝が半導体バーのエピタキシャル側を横切ってエッチングされ、バーを個々のデバイスへの分割し、複数のバーが同時に処理される。

Claim (excerpt)：

半導体電気光学デバイスを製造する方法であって、基板ウェハー上に少なくとも1つのエピタキシアル層を形成する工程と、前記エピタキシアル層に少なくとも1つの酸化層を加える工程と、前記ウェハーのウェハーからバーへの分割が起こる位置と対応する位置の前記ウェハーの基板側の上に刻み込マークを入れる工程と、刻みを入れるプラットフォーム上に前記ウェハーを取り付ける工程と、分割ツールによって前記ウェハーのエピタキシアル側を打つことによって、前記ウェハーを少なくとも一つのバーに分割する工程と、前記バーを刻み込み用プラットフォーム上に取り付ける工程と、前記バーを個々の電気光学デバイスに分割する工程とによって構成される半導体電気光学デバイスを製造する方法。

IPC (4)：

H01L 21/301 ,  B28D 5/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 21/78 T ,  H01L 21/78 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-027623
  
• 特開昭57-093545
  
• 特開昭52-070781