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J-GLOBAL ID:200903003357085114
半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997164248
Publication number (International publication number):1998104847
Application date: Jun. 20, 1997
Publication date: Apr. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 マスクとして使われるフォトレジスト層のうちエッジ付近の不要なフォトレジスト及びウェーハの裏面の不要なフォトレジストを除去する際に使用する半導体製造工程おけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物を提供する。【解決手段】 本発明のシンナー組成物は、エチルラクテートとエチル-3-エトキシプロピオネートとを混合してなるもので、望ましくはエチルラクテートとエチル-3-エトキシプロピオネートとの混合物にγ-ブチロラクトンをさらに混合して調製したものである。これにより、ウェーハのエッジや裏面フォトレジストを素早くかつ効率よく取り除けるので半導体装置の収率を向上でき、また裏面に付着している残留フォトレジストを完全に取り除いてウェーハを再使用できるようにし、ウェーハの再使用及び経済的な使用を可能にする。
Claim (excerpt):
半導体装置の製造工程でウェーハ上の不要なフォトレジストを取り除くためのシンナー組成物であって、エチルラクテートとエチル-3-エトキシプロピオネートとを混合してなることを特徴とするフォトレジスト洗浄用シンナー組成物。
IPC (5):
G03F 7/38 501
, C11D 7/26
, C11D 7/50
, G03F 7/42
, H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/38 501
, C11D 7/26
, C11D 7/50
, G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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レジスト剥離工程用洗浄剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-354844
Applicant:日東化学工業株式会社
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感光性ポリイミド用リンス液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-065027
Applicant:東レ株式会社
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レジスト剥離液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-058303
Applicant:日本表面化学株式会社
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