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J-GLOBAL ID:200903003357571221

水素吸蔵合金電極の製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 丸山 敏之 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995298065
Publication number (International publication number):1997139202
Application date: Nov. 16, 1995
Publication date: May. 27, 1997
Summary:
【要約】【課題】 電極作製前に、水素吸蔵合金粉末の表面に形成された酸化被膜を簡易な手段により除去し、水素吸蔵合金の初期活性度を向上させる。【解決手段】 水素吸蔵合金粉末を真空中又は不活性ガス雰囲気中にて、50〜400°Cの温度で加熱することにより、水素吸蔵合金の表面の酸化物を除去する。加熱工程の前に、必要に応じて、水素吸蔵合金粉末をアルカリ性溶液又は酸性溶液により水素吸蔵合金の表面を改質処理することもできる。加熱工程の後、電極作製までの間に、必要に応じて水素吸蔵合金粉末を不活性ガス雰囲気中で保存する工程を含めることもできる。
Claim (excerpt):
水素吸蔵合金の粉末を用いて水素吸蔵合金電極を作製する方法において、電極作製前の段階で、水素吸蔵合金粉末を真空中又は不活性ガス雰囲気中にて、50〜400°Cの温度で加熱することにより、水素吸蔵合金粉末の表面の酸化物を除去する工程を有していることを特徴とする水素吸蔵合金電極の製法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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