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J-GLOBAL ID：200903003361905550

ガラス膜形成方法

Inventor： 中沢 正隆 ,  木村 康郎 ,  樫村 誠一 ,  井本 克之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992297071
Publication number (International publication number)：1994144867
Application date： Nov. 06, 1992
Publication date： May. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 屈折率の面内均一性の良い低損失なコア用ガラス膜を形成し、低損失な光導波路を製造する。【構成】 屈折率制御用材料を含むSiO2 タブレット1,2を電子ビーム蒸着法により蒸発させて基板6上にガラス膜を形成する。タブレット1,2として、粒径が1μm以下で、かつ粒径が揃った原材料粉末を用いて形成されたタブレットを使用する。タブレット1,2は、屈折率制御用材料およびSi02 粉末を混合しホットプレスにより焼き固めて形成し、その焼結密度は90%以上とする。屈折率制御用材料には、Ti、P、Ge、Al、B、Ta、Zn、Fなどの酸化物、乃至Er、Nd、Yb、Ce、Ho、Tm、Pr、Smなどの希土類元素酸化物を少なくとも1種含んだものを使用する。

Claim (excerpt)：

屈折率制御用材料を含むSi02 タブレットを電子ビーム蒸着法により蒸発させて基板の低屈折率層上にガラス膜を形成する方法において、粒径が1μm以下で、かつ粒径が揃った原材料粉末を用いて形成されたタブレットを使用するようにしたことを特徴とするガラス膜形成方法。

IPC (2)：

C03C 3/04 ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-022906
  
• 特開平3-035203
  
• 特開平3-035202
  
• 特開昭63-158790