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J-GLOBAL ID：200903003367101584

半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム

Inventor： 右田 雅人 ,  百瀬 正之 ,  中塚 慎一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181856
Publication number (International publication number)：1998027946
Application date： Jul. 11, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 波長400から700nmの波長域の実用レベルの性能を有するII-VI族半導体レーザの提供を可能にすること。【解決手段】 レ-ザ材料と同じII-VI族化合物半導体であるp型ZnTeを基板に用い、クラッド層の組成をZnMgSeTeとすることでレ-ザ共振器を構成する半導体積層構造を基板との格子整合条件を満たした条件で形成する。【効果】 ZnMgSeTeのクラッド層組成を調整することで所望の発光組成を有する活性層を基板と格子整合させて形成できるため、活性層内で発生する積層欠陥や転位などの欠陥の発生を抑制でき、素子の温度特性も顕著に改善できる。

Claim (excerpt)：

p伝導型ZnTe単結晶基板上部に該基板と実質的に格子整合条件を満たすよう形成されたZn<SB>x</SB>Mg<SB>1-x</SB>Se<SB>y(1-x)</SB>Te<SB>1-y(1-x)</SB>(0≦x<1)の組成を有するクラッド層を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H04B 9/00 W