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J-GLOBAL ID：200903003372814220

半導体装置

Inventor： 井上 孝夫 ,  西木 直己 ,  光明寺 大道 ,  川島 勉 ,  前田 幸男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209961
Publication number (International publication number)：1998056114
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 放熱性が良く、更に小型、軽量化の半導体の冷却構造を提供するものである。【解決手段】 半導体素子3の上面に炭素質シート2を介してヒートシンク1を設けたものである。

Claim (excerpt)：

炭素質シートを半導体素子の一部に接触させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/38 ,  H01L 23/36

FI (3)：

H01L 23/38 ,  H01L 23/36 B ,  H01L 23/36 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 部材の冷却構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154627   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-025440
  
• チャンネル型放熱フィンとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-220365   Applicant：住友金属工業株式会社