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J-GLOBAL ID：200903003373577213

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Inventor： 山口 忠士
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991160591
Publication number (International publication number)：1993013477
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置の薄形化、及び製造コストの低減を図る。【構成】 樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リードフレーム40に形成される素子搭載領域45に半導体素子51を固定する際、加熱された素子搭載領域45に熱可塑性樹脂50Aにより絶縁膜50を形成する。熱可塑性樹脂50Aは、その溶融状態で素子搭載領域45に被着して絶縁膜50を薄膜化するように働き、半導体素子51を固定する。素子搭載領域45に、大容量,多機能の半導体素子51を搭載しても半導体素子51とリード部44とが絶縁されているので、半導体素子51の正常な動作が保証され、強度を損なわずに半導体装置全体を小型,薄形化にできる。また、熱可塑性樹脂50Aをブロック状に形成して用いれば、再現性よく絶縁膜50が形成できる。

Claim (excerpt)：

連結部に連結された複数のリード部によりまたは該リード部及び素子搭載部によって素子搭載領域が形成されたリードフレームの、該素子搭載領域上に半導体素子を固定するダイボンディング工程と、前記半導体素子と前記リード部を接続し、モールド成型によって前記半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程と、前記リード部及び前記樹脂封止された半導体素子を前記リードフレームから切断分離する分離工程とを、順に施す樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記モールド成型における成型温度より高い融点を持つ熱可塑性樹脂を溶融して所定膜厚の絶縁膜を前記素子搭載領域に被着し、該絶縁膜上に直接または接着剤で前記半導体素子を接着した後、前記樹脂封止工程に進むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50