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J-GLOBAL ID：200903003377786747

半導体スピン偏極電子源

Inventor： 馬場 寿夫 ,  水田 正志 ,  大森 恒彦 ,  栗原 良将 ,  中西 彊
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115221
Publication number (International publication number)：1995320633
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 大きなスピン偏極度と高い量子効率を兼ね合わせた半導体スピン偏極電子源を提供する。【構成】 基板1上に基板より電子親和力の小さなブロック層4と、スピン偏極電子の発生領域として、基板の格子定数よりも大きな格子定数を有し電子波長程度以下の厚さの歪ウェル層8と、歪ウェル層よりも価電子帯エネルギーが低く伝導帯の電子がトンネル効果で透過できる厚さのバリア層6との交互積層からなる格子緩和のないp型伝導の短周期歪超格子構造と、バンドの曲がりを吸収する表面層7を設けている。歪ウェル層に圧縮応力が加わることにより、超格子構造で生じる価電子帯の重い正孔と軽い正孔のバンドのエネルギー差がさらに広がる。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともスピン偏極電子の発生領域として、基板の格子定数よりも大きな格子定数を有し電子波長程度以下の厚さのウェル層と、ウェル層よりも価電子帯エネルギーが低く伝導帯の電子がトンネル効果で透過できる厚さのバリア層との交互積層からなる格子緩和のないp型伝導の歪超格子構造を含むことを特徴とする半導体スピン偏極電子源。