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J-GLOBAL ID：200903003386880500

荷電粒子ビーム露光装置、荷電粒子ビームのシャープネス測定方法、及び半導体素子製造方法

Inventor：
山田 章夫

About 山田 章夫

, 
藤本 正敬

About 藤本 正敬


Applicant, Patent owner：
株式会社アドバンテスト

About 株式会社アドバンテスト


Agent (1)： 龍華 明裕
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002232072
Publication number (International publication number)：2004071990
Application date： Aug. 08, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】少なくとも一つの直線の辺を有する形状の荷電粒子ビームのシャープネス及びビームサイズを高精度に測定する荷電粒子ビーム露光装置を提供する。【解決手段】少なくとも一つの直線の辺を有する形状の荷電粒子ビーム300でウェハ64を露光する荷電粒子ビーム露光装置100は、荷電粒子ビーム300の一部を遮るナイフエッジ202と、荷電粒子ビーム300の進行方向に対してナイフエッジ202の下方に設けられ、直接照射された荷電粒子ビーム30の電流を検出する電流検出部204と、荷電粒子ビーム300の進行方向に対してナイフエッジ202と略同一の高さに設けられ、荷電粒子ビーム300の直線の辺とナイフエッジ202との相対角の調整に用いられる調整パターン400とを備える。【選択図】 図2
Claim 1：
少なくとも一つの直線の辺を有する形状の荷電粒子ビームでウェハを露光する荷電粒子ビーム露光装置であって、 前記荷電粒子ビームの一部を遮るナイフエッジと、 前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記ナイフエッジの下方に設けられ、直接照射された前記荷電粒子ビームの電流を検出する電流検出部と、 前記荷電粒子ビームの進行方向に対して前記ナイフエッジと略同一の高さに設けられ、前記荷電粒子ビームの前記直線の辺と前記ナイフエッジとの相対角である第1の相対角の調整に用いられる調整パターンと を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
IPC (2)：
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (4)：
H01L21/30 541N ,  G03F7/20 504 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 551
F-Term (17)：
2H097AA03 ,  2H097BA10 ,  2H097CA06 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA21 ,  5F056BA01 ,  5F056BA02 ,  5F056BA04 ,  5F056BA06 ,  5F056BB01 ,  5F056BB09 ,  5F056CB05 ,  5F056EA03 ,  5F056EA04 ,  5F056EA06 ,  5F056FA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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