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J-GLOBAL ID：200903003387981041

プラズマ発生装置

Inventor： 土橋 祐亮 ,  花崎 稔 ,  米村 俊雄 ,  津田 睦 ,  斧 高一 ,  奥 康二 ,  中隈 信治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998017226
Publication number (International publication number)：1999214196
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理の均一性を向上し、基板の大口径化にも対応できるプラズマ発生装置を提供する。【解決手段】 導波管5からT分岐の分岐部20a,20b,20cを経て4本のロッドアンテナ9a,9b,9c,9dに分配して放射されたマイクロ波が、4本の誘電体管10a,10b,10c,10dを介して真空容器1内に導入される。真空容器1内には、周囲に設置された永久磁石11によりマルチカスプ磁界13と電子サイクロトロン共鳴領域12が存在し、マイクロ波の振動電界と磁界との相互作用により、基板等にプラズマ処理を施す領域において均一性の高いプラズマ8が発生する。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段で発生したマイクロ波を導波するマイクロ波伝達手段と、前記マイクロ波伝達手段に接続され、放電ガスを供給する手段および真空排気手段を有する真空容器と、前記マイクロ波伝達手段によって導波されたマイクロ波を前記真空容器内に放射するマイクロ波放射手段と、前記マイクロ波放射手段で放射されたマイクロ波を前記真空容器の内部に導入させるマイクロ波導入手段とを備え、前記真空容器内のプラズマ処理領域を含む所定の領域にプラズマを発生させる装置であって、前記マイクロ波放射手段は、前記真空容器の複数の位置に対してマイクロ波を放射する手段を含み、前記マイクロ波導入手段は、前記マイクロ波放射手段から放射されたマイクロ波を、前記真空容器内の前記プラズマ処理領域上の並列な複数の位置に導入する手段を含む、プラズマ発生装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (6)：

H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭55-131175
  
• 特開平4-048078
  
• 特開平4-048928
  
• 特開平3-191068
  
• 特開平4-136177
  
• 特開平3-039480