Pat
J-GLOBAL ID：200903003392756960
半導体素子の絶縁分離加工方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997258311
Publication number (International publication number)：1999097520
Application date： Sep. 24, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 導電性を持つ半導体層に複数の半導体素子を形成した場合に、表面に凹凸を形成することなく(メサエッチング以外の方法で)半導体素子間を電気的に絶縁する絶縁分離加工方法を提案する。【解決手段】 ガリウム・ヒ素から成る導電性を持つ半導体層の上面に選択的にマスク層を形成し、このマスクを用いてボロン元素をイオン注入にてドーズ量1×1012/cm2 〜1×1014/cm2 の範囲で注入し、マスク部分の相互を電気的に絶縁する。
Claim (excerpt)：
0.2μm以上の厚みを持つガリウム・ヒ素から成る導電性を持つ半導体層に対してボロン元素をイオン注入にてドーズ量1×1012/cm2 〜1×1014/cm2 の範囲で注入することにより、上記導電性を持つ半導体層を絶縁体化する半導体素子の絶縁分離加工方法。
IPC (4)：
H01L 21/76
, C30B 31/22
, H01L 21/265
, H01L 29/872
H01L 21/76 R
, C30B 31/22
, H01L 21/265 601 J
, H01L 29/48 H
Cited by examiner (9)
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