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J-GLOBAL ID：200903003395179700

半導体表面処理方法及び装置

Inventor： 高林 明治 ,  中川 克己 ,  竹内 栄治
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186492
Publication number (International publication number)：1993036613
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【構成】 ドーパント元素を含む蒸発源を蒸発させ半導体表面に付着させると同時に、該半導体表面に紫外から近赤外までの連続スペクトルを有する光を照射して、紫外光により半導体表面の表面エネルギーを高め、ドーパント元素及び半導体表面を活性化し、さらに可視から近赤外光により半導体表面の加熱を行ない、半導体内部へのドーパントの拡散を促進させ不純物のドーピングを行なう。【効果】 特性の優れたp型またはn型の半導体を大面積にわたり均一性よく、短い処理時間で製造することができ、特に高性能な太陽電池や液晶ディスプレーの様な大面積の半導体デバイスの低コストでの製造を可能とした。また、大面積化が容易なため量産性の高いロールトゥロール装置にも応用でき、大幅なスループットアップ及び低コスト化が可能となった。

Claim (excerpt)：

減圧にされた半導体表面処理室内に於いて、ドーパント元素を含む蒸発源を熱エネルギーにより蒸発させ半導体表面に付着させると同時に、該半導体表面に紫外から近赤外までの連続スペクトルを有する光を照射して、紫外光により半導体表面の表面エネルギーを高め、ドーパント元素及び半導体表面を活性化し、さらに可視から近赤外光により半導体表面の加熱を行ない、半導体内部へのドーパントの拡散を促進させ不純物のドーピングを行なうことを特徴とする半導体表面処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A