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J-GLOBAL ID：200903003396647197

アクティブ型表示装置並びにそれを用いたテレビ、カメラ及びコンピュータ

Inventor：
▲ひろ▼木 正明

About ▲ひろ▼木 正明

, 
間瀬 晃

About 間瀬 晃

, 
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004150975
Publication number (International publication number)：2004310123
Application date： May. 20, 2004
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：
【課題】 表示性能の良好なアクティブ型表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜85および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極88を有し、前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、前記画素電極88は、前記平坦化膜85の上に設けられ、且つ、該平坦化膜85に形成された第2の複数のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続されている。【選択図】 図6
Claim 1：
ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有し、 前記ドレイン電極は、層間絶縁物の上に設けられ、且つ、該層間絶縁物に形成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接接続され、 前記画素電極は、前記平坦化膜の上に設けられ、且つ、該平坦化膜に形成された第2の複数のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続されていることを特徴とするアクティブ型表示装置。
IPC (4)：
G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 616S
F-Term (91)：
2H092GA13 ,  2H092GA24 ,  2H092GA29 ,  2H092GA32 ,  2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA40 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB42 ,  2H092JB44 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092MA24 ,  2H092MA30 ,  2H092NA01 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H092QA06 ,  2H092RA05 ,  5C094AA02 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094HA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE34 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK09 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP27 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
  • 電気光学装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-089540   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭55-032026
  • 特開昭56-094386
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