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J-GLOBAL ID：200903003399676228

熱強化型半導体素子およびその製造方法

Inventor： ベネット・エー・ジョイナー・ジュニア
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 本城 雅則 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993115190
Publication number (International publication number)：1994021276
Application date： Apr. 20, 1993
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ダイのフラグとの界面を減少し、更にドロップ・イン(drop-in)ヒートシンクを設けて、熱的性能を向上させたことに加えて、基板実装中のパッケージ亀裂に対する抵抗力を強化させた成形型半導体素子(24)を提供する。【構成】 半導体ダイ(12)を、開口を備えたフラグ(15)を有するリードフレーム(16)上に実装して、ダイの不活性表面(14)の大部分を露出させる。ダイ(12)とフラグ(15)との間の界面接触領域を減少させることにより、剥離が生じる領域を制限、基板実装中にパッケージに亀裂が発生する危険性を低減する。封入材(22)がパッケージ本体を形成し、このパッケージ本体が開口(23)を包囲して、半導体ダイ(12)の不活性表面の大部分を露出させる。半導体パッケージを印刷回路基板に実装した後、ヒートシンク(26)を前記開口に挿入し、ヒートシンクを直接ダイに結合する。

Claim (excerpt)：

活性表面(13)と、不活性表面(14)と、周辺とを有する半導体ダイ(12)であって、前記活性表面上に複数のボンディング・パッドを有する、前記半導体ダイ;複数のリード(18)と、ダイ開口(6)を備えた実装表面(15)とを有するリードフレーム(16)であって、前記ダイ開口は前記半導体ダイより小さく、前記半導体ダイの不活性表面の第1部分を、前記ダイ開口上の前記リードフレームの実装表面に、接合してあり、これにより前記半導体ダイの不活性表面の第2部分を露出させた、前記リードフレーム;前記半導体ダイの活性表面上の複数のボンディングパッドを、前記リードフレームの複数のリードに、電気的に結合する複数の導電ワイヤ(20);および前記周辺の周りで、前記活性表面上、および前記半導体ダイの不活性表面の前記第1部分、前記ワイヤ、および前記リードフレーム上において、パッケージ本体を形成する封入材(22)であって、前記パッケージ本体は、前記半導体ダイの不活性表面の前記第2部分を露出させる開口(23)を包囲するようにした、前記封入材;から成ることを特徴とする熱強化型半導体素子(10)。