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J-GLOBAL ID:200903003404734142

ベータ-アノマーに富む2-デオキシ-2,2-ジフルオロ-D-リボフラノシル-アリールスルホネートの製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993149146
Publication number (International publication number):1994056864
Application date: Jun. 21, 1993
Publication date: Mar. 01, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】 下記式(I)[式中、Xはヒドロキシ保護基、Yは(置換)アリールスルホネート]で表されるベータ-アノマーに富むリボフラノシル誘導体を製造するための立体選択的方法であって、下記式(II)で表されるラクトールを不活性溶媒中で酸補集剤およびスルホネート化試薬と接触させることからなる方法。【効果】 上記の方法によりベータ-アノマー誘導体が立体選択的に生成する。
Claim (excerpt):
式:【化1】[式中、Xはそれぞれヒドロキシ保護基から独立に選択され、Yはアリールスルホネートおよび置換アリールスルホネートからなる群から選択される]で表されるベータ-アノマーに富むリボフラノシル誘導体を製造するための立体選択的方法であって、式:【化2】[式中、Xは上記と同意義である]で表されるラクトールを不活性溶媒中で酸補集剤およびスルホネート化試薬と接触させることからなる方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-029527
  • 特開昭62-029527

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