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J-GLOBAL ID：200903003412003440

液晶表示素子の製造方法

Inventor： 清水 征三郎 ,  川田 靖 ,  善積 章 ,  田村 栄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991208202
Publication number (International publication number)：1993045653
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板を汚染せず、しかも簡単に液晶配向膜を配向処理することができる液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】対向する一対の透明基板と、前記透明基板の対向する主面上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、表面に凹凸を有する高分子液晶配向膜と、前記基板間に封入された液晶材料とを具備する液晶表示素子の製造方法であって、前記高分子液晶配向膜の表面の凹凸を所定の凹凸パターンを有する転写型からその凹凸パターンを転写することにより形成するものであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

対向する一対の透明基板と、前記透明基板の対向する主面上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、表面に凹凸を有する高分子液晶配向膜と、前記基板間に封入された液晶材料とを具備する液晶表示素子の製造方法であって、前記高分子液晶配向膜の表面の凹凸を所定の凹凸パターンを有する転写型からその凹凸パターンを転写することにより形成するものであることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/1337 ,  G02F 1/1337 520

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-295026
  
• 特開平4-172320
  
• 特開平4-372931
  
• 特開昭64-018124
  
• 特開平3-150530