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J-GLOBAL ID：200903003438779617

III-V族化合物半導体の気相成長方法

Inventor： 竹本 菊郎 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053373
Publication number (International publication number)：1994267862
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 III 族元素の有機化合物とV族元素のハロゲン化物を原料とし、コールドウオール反応管内に配置された基板上にIII-V族化合物半導体を気相成長する方法において、良好なエピタキシャル層を再現性良く成長できるIII-V族化合物半導体の気相成長方法を提供しようとするものである。【構成】 基板を580〜800°Cに加熱し、III 族原料/V族原料のモル比を3〜15の範囲で調節し、III 族原料及びV族原料が上記原料ガス供給管の開閉弁から上記反応管に開口する開口部に到達するまでの時間を揃えることを特徴とするIII-V族化合物半導体の気相成長方法である。

Claim (excerpt)：

III 族元素の有機化合物とV族元素のハロゲン化物を原料とし、コールドウオール反応管内に配置された基板上にIII-V族化合物半導体を気相成長する方法において、上記基板を580〜800°Cに加熱し、III 族原料/V族原料のモル比を3〜15の範囲で調節し、かつ、III 族原料及びV族原料が上記原料ガス供給管の開閉弁から上記反応管に開口する開口部に到達するまでの時間を揃えることを特徴とするIII-V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/40 502