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J-GLOBAL ID：200903003439466604
強誘電体キャパシタ用PZT薄膜及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小塩 豊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072003
Publication number (International publication number)：1996273436
Application date： Mar. 29, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】 PZT薄膜の優れた強誘電体特性を維持するとともにその耐久性を向上させ得る、強誘電体キャパシタ用PZT薄膜及びその製造方法を提供する。【構成】 PZT薄膜はPZT強誘電体にアクセプタ元素とドナー元素がドーピングされることによりなり、その強誘電体キャパシタ用PZT薄膜の製造方法はPZT強誘電体にアクセプタ元素とドナー元素を同時にドーピングさせることである。
Claim (excerpt)：
PZT強誘電体にドナー元素とアクセプタ元素がドーピングされたものでなることを特徴とする強誘電体キャパシタ用PZT薄膜。
IPC (5)：
H01B 3/00
, C04B 35/46
, H01B 3/12 301
, H01G 4/12 391
, H01G 7/06
H01B 3/00 F
, H01B 3/12 301
, H01G 4/12 391
, H01G 7/06
, C04B 35/46 A
