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J-GLOBAL ID：200903003454121664
炭素-窒素化合物膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085764
Publication number (International publication number)：1993287502
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基体材料の耐熱性の点で特段の制約を受けることなく様々な種類の基体の表面に、高硬度の炭素-窒素化合物膜を安定に、且つ、密着性良く形成することができる方法を提供する。【構成】 所定真空度の真空中に設置した基体2の表面に炭素20の蒸着と窒素イオン14の照射を同時又は交互に行うことにより該基体表面に炭素-窒素化合物膜を形成する炭素-窒素化合物膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
所定真空度の真空中に設置した基体の表面に炭素の蒸着と窒素イオンの照射を同時又は交互に行うことにより該基体表面に炭素-窒素化合物膜を形成することを特徴とする炭素-窒素化合物膜の形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/06
, C23C 14/22
, C23C 14/48
