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J-GLOBAL ID：200903003457376086

太陽電池

Inventor： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  古曵 重美 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993168694
Publication number (International publication number)：1995074376
Application date： Jun. 14, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光吸収層としてカルコパイライト構造の半導体薄膜を用いる太陽電池のエネルギー変換効率を向上する。【構成】 透明絶縁性基板1上に形成した透明導電膜2上に、透明絶縁性膜3、II族とVI族元素からなる半導体薄膜4、カルコパイライト構造の半導体薄膜5、前記薄膜5より高いキャリア濃度を有する半導体薄膜6、上部電極7を順に積層する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板上に形成された透明導電膜上に、II族元素とVI族元素からなる半導体薄膜、I族元素とIII族元素とVI族元素からなるカルコパイライト構造の半導体薄膜、前記カルコパイライト構造の半導体薄膜より高いキャリア濃度を有する半導体薄膜、および金属膜あるいは透明導電膜を順に積層した構成からなることを特徴とする太陽電池。