Pat
J-GLOBAL ID:200903003457526533
レーザー処理装置、露光装置及び露光方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006257370
Publication number (International publication number):2007122027
Application date: Sep. 22, 2006
Publication date: May. 17, 2007
Summary:
【課題】フォトマスクを使用しないで高速に直接描画ができ、低コスト化を実現できる露光装置及び露光方法を提供する。【解決手段】露光装置は、露光対象基板8を保持するステージ10と、前記ステージ10に保持された前記露光対象基板8の上方に配置された直接描画用マスク6と、前記直接描画用マスクに設けられた、略同一の大きさを有する開口部が一列に並び且つ該開口部の間隔が略同一である繰り返し開口パターンと、前記繰り返し開口パターンに沿うように線状レーザービーム1cを照射する照射機構と、前記照射機構により照射された前記線状レーザービームが前記繰り返し開口パターンの前記開口部を通過するレーザービームと、前記ステージに保持された前記露光対象基板との相対位置を移動させる移動機構と、を具備する。【選択図】図1
Claim 1:
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された前記基板の上方に配置されたマスクと、
前記マスクに設けられた、略同一の大きさを有する複数の開口部が一列に並び且つ該複数の開口部の間隔が略同一である少なくとも一つの開口パターンと、
線状レーザービームを形成するレーザー処理機構と、
前記レーザー処理機構により形成された前記線状レーザービームが前記開口パターンの前記複数の開口部を通過することによって形成されたレーザービームと、前記ステージに保持された前記基板との相対位置を移動させる移動機構と、を具備することを特徴とするレーザー処理装置。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (5):
2H097AA03
, 2H097AB09
, 2H097CA17
, 2H097JA02
, 2H097LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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半導体装置の製造方法および半導体装置製造用フォトマスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-054734
Applicant:シャープ株式会社
-
露光装置および露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-215811
Applicant:サンエー技研株式会社
-
特許第6593064号
-
照明装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-346015
Applicant:キヤノン株式会社
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-229111
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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Cited by examiner (5)
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露光装置および露光方法
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Application number:特願平10-215811
Applicant:サンエー技研株式会社
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特許第6593064号
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半導体装置の製造方法および半導体装置製造用フォトマスク
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Application number:特願平7-054734
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Application number:特願平7-346015
Applicant:キヤノン株式会社
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半導体装置の作製方法
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Application number:特願2006-229111
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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