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J-GLOBAL ID:200903003470799930

積層型半導体集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 野河 信太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992263544
Publication number (International publication number):1994120419
Application date: Oct. 01, 1992
Publication date: Apr. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】 LSIチップを貼り合わせて積層化した場合の上下のLSI間を電気的に接続する電極と上部LSIの基板との間で生ずる絶縁不良を改善する。【構成】 上部LSIチップ208を構成するスルーホール電極600を有した半導体基板202の裏面に絶縁薄膜100を形成し、接着剤501によって上部LSIチップを接着し、スルーホール電極600と下部LSI上の配線500とを導通させる。
Claim (excerpt):
複数個の半導体集積回路を接着手段を用いて立体回路化した積層型半導体集積回路であって、半導体基板裏面が絶縁性薄膜で被覆されている被積層半導体集積回路と積層半導体集積回路が接着剤層を介して積層されてなる積層型半導体集積回路。
IPC (3):
H01L 27/00 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/31

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