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J-GLOBAL ID:200903003474002840
光変調装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995070047
Publication number (International publication number):1996262382
Application date: Mar. 28, 1995
Publication date: Oct. 11, 1996
Summary:
【要約】【目的】 バイアスティを使用することなく、光変調出力の歪みを低減することが可能であると共に、小型化が可能な光変調装置を提供する。【構成】 光源1から入射された光を他方から入力された変調信号により変調して出力すると共に、該変調信号を終端する端子2dを有するLN変調器2と、該LN変調器2を駆動できるレベルに変調信号を増幅してLN変調器2に出力すると共に、出力段のFET5Nのバイアス電圧が外部から供給される直流電圧yおよび直流電圧zにより設定される増幅器10と、直流電圧yおよび直流電圧zを供給すると共に、LN変調器2の変調動作点を設定する直流動作電圧を終端抵抗器11を介して端子2dに供給するバイアス制御回路12とを具備する。
Claim (excerpt):
光源から入射された光を他方から入力された電気信号により変調して出力すると共に、該電気信号を終端する端子(2d)を有するリチウムナイオベート光変調器(2)と、該リチウムナイオベート光変調器(2)を駆動できるレベルに前記電気信号を増幅して該リチウムナイオベート光変調器(2)に出力すると共に、出力段の増幅素子(5N)のバイアス電圧が外部から供給される直流電圧により設定される可変バイアス型増幅器(10)と、該可変バイアス型増幅器(10)に前記直流電圧を供給すると共に、前記リチウムナイオベート光変調器(2)の変調動作点を設定する直流動作電圧を終端抵抗器(11)を介して前記端子(2d)に供給するバイアス制御回路(12)と、を具備することを特徴とする光変調装置。
IPC (6):
G02F 1/03 502
, H04B 10/152
, H04B 10/142
, H04B 10/04
, H04B 10/06
, H04B 10/14
FI (3):
G02F 1/03 502
, H04B 9/00 L
, H04B 9/00 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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特開平3-145623
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光変調器駆動回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-064323
Applicant:日本電気株式会社
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