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J-GLOBAL ID：200903003474413416

光半導体装置の製造方法

Inventor： 向井 剛輝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147769
Publication number (International publication number)：1993343738
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多重量子井戸構造の歪超格子層の堆積に関し,非発光準位及び転位が少なく,大きな歪を有し厚い歪超格子層を堆積することを目的とする。【構成】 基板上に化合物半導体単結晶からなる光導波層3,歪超格子層4,及び光閉込め層5とを順に堆積する工程とを有し,光閉込め層5を歪超格子層4の堆積温度より低温で堆積することを特徴として構成する。

Claim 1：

基板上に化合物半導体単結晶からなる光導波層(3),歪超格子層(4),及び光閉込め層(5)とを順に堆積する工程とを有し,該光閉込め層(5)を該歪超格子層(4)の堆積温度より低温で堆積することを特徴とする光半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18