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J-GLOBAL ID：200903003489647758
高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072644
Publication number (International publication number)：1999071177
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 再結晶SiCセラミックスの抵抗率を大きくし、電気絶縁体的な性質を付与するとともに、熱伝導率を大幅に向上することができ、再結晶SiCの長所である強度、耐食性をそのまま維持することができる再結晶SiC焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 0.01〜2wt%のSiO2と99.99〜98wt%のSiCから実質的になる再結晶SiC焼結体であって、その抵抗率が500〜50000Ω・cmに制御されているものである。炉の有効体積(加熱域)の0.01〜10倍の不活性ガスを毎分流しながら、0.01〜2atmの圧力下で、2Hr以上かけて2000°Cまで昇温し、その後0.5〜2atmの圧力下で、2000〜2500°Cの温度に昇温する。
Claim (excerpt)：
0.01〜2wt%のSiO2と99.99〜98wt%のSiCから実質的になる再結晶SiC焼結体であって、その抵抗率が500〜50000Ω・cmに制御されていることを特徴とする再結晶SiC焼結体。
IPC (4)：
C04B 35/565
, C04B 35/64
, H01L 21/68
, H01L 23/373
C04B 35/56 101 A
, H01L 21/68 N
, C04B 35/56 101 S
, C04B 35/64 C
, H01L 23/36 M
Cited by examiner (8)
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