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J-GLOBAL ID：200903003492316975

結晶シリコン薄膜とこれを用いた太陽電池の製造方法

Inventor： 上岡 正嗣 ,  平沢 照彦 ,  山田 透
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994123583
Publication number (International publication number)：1995330323
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高生産性で良質の結晶シリコン薄膜の製造を可能とし、この薄膜を用いて低コスト、高光電変換効率の結晶シリコン太陽電池を提供する。【構成】 支持板として機能する基板の上にシリコン層を形成する工程、上記シリコン層に銀-シリコンの共融帯を作り、この共融帯の一端にシリコン単結晶を接した後、この共融帯を順次移行させてシリコン層を結晶化することを特徴とする結晶シリコン薄膜の製造方法。及びこの方法において、基板を一方の電極として機能すべく導電性のものとして、結晶シリコン層を製造する工程、上記結晶シリコン層中にp-n接合を形成する工程、および上記結晶シリコン層の表面に他方の電極および反射防止膜層を形成する工程、とからなることを特徴とするシリコン太陽電池の製造方法。

Claim (excerpt)：

(1) 支持板として機能する基板の上にシリコン層を形成する工程、(2) 上記シリコン層に銀-シリコンの共融帯を作り、この共融帯を順次移行させてシリコン層を結晶化することを特徴とする結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01B 33/02 ,  C30B 29/06 501 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X