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J-GLOBAL ID：200903003495664567

半導体装置の製造方法

Inventor： 松本 順子 ,  米倉 和賢 ,  横井 孝弘
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996296486
Publication number (International publication number)：1998144633
Application date： Nov. 08, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 コンタクトホールを自己整合的に精度よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上のゲート電極4とサイドウォール6を覆うようにシリコン窒化膜8と層間酸化膜9を形成した後、所定のレジストパターン10をマスクとしてC4 F8 ガスにて層間酸化膜9を異方性エッチングし、シリコン窒化膜8を露出する。次に酸素を導入するとともに、RFバイアスパワーを約150wに設定して、シリコン酸化膜7を実質的に残しながら露出したシリコン窒化膜8をエッチングする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されるとともに、該半導体基板の表面上に形成された第1絶縁膜と、該第1絶縁膜上に形成され、該第1絶縁膜とはエッチング特性が異なる第2絶縁膜と、該第2絶縁膜上に形成され、該第2絶縁膜とはエッチング特性が異なる第3絶縁膜とを含む積層膜に、エッチングを施すことによりコンタクトホールを形成するための半導体装置の製造方法であって、前記エッチングは、CF系ガスを主エッチングガスとし、該主エッチングガスによるプラズマの生成と該プラズマの照射とにより前記第3絶縁膜上に形成されたレジストをマスクとして、前記第3絶縁膜の所定の領域に異方性エッチングを行ない、前記第2絶縁膜を露出する第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程の後、酸素によるプラズマの生成雰囲気にさらすことにより、前記露出させた第2絶縁膜を前記第1絶縁膜を実質的に残して異方性エッチングする、第2エッチング工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/90 D