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J-GLOBAL ID：200903003497893547
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030302
Publication number (International publication number)：1997223747
Application date： Feb. 19, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：
【要約】【課題】 熱拡散工程を用いることなく、リトログレードnとp両ウエル及びしきい電圧制御を1つのレジストパターンで形成することができ極めて高精度で高密度なパターン形成を可能とし、かつラッチアップ耐性及びノイズ耐性の高いCMOSを提供することを目的とする。【解決手段】 保護酸化膜上に絶縁分離膜の一部を含んでフォトレジストを堆積し、その上からnウエル形成のためのリンを注入し、pウエルと高濃度p埋め込み層形成のためのボロンを注入し、さらにpウエルと高濃度p埋め込み層を高濃度に連続して形成させるためにpウエルと高濃度p埋め込み層よりも深くボロンを注入する。
Claim (excerpt)：
半導体基板に、絶縁分離層を選択的に形成する工程と、前記半導体基板に保護膜を選択的に形成する工程と、前記保護膜をマスクとして第1導電型のイオン種をイオン注入し第1導電型のウエルを形成する工程と、前記保護膜で覆われた前記半導体基板内には第2導電型のウエルを形成し、前記保護膜で覆われていない前記半導体基板内には前記第1導電型のウエルの下に十分深い第2導電型の埋め込み層を形成する第2導電型イオン種をイオン注入する工程と、前記第2導電型のウエルと前記第2導電型の埋め込み層よりも深く前記絶縁分離層の直下で前記第1導電型のウエルを取り囲んで前記第2導電型のウエルと前記第2導電型の埋め込み層を高濃度にて連続して形成させる第2導電型のイオン種をイオン注入する工程を備えた半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
