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J-GLOBAL ID：200903003498090529
電子放射デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272802
Publication number (International publication number)：1993110051
Application date： Oct. 21, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 内部電子増倍機能を備えた構造が簡単な電子増倍デバイス、およびこれを応用する事により長波長領域に光電子放射感度を有し、しかも内部に電子増倍機能も具えた光電子放射デバイスを容易に実現する事を目的とする。【構成】 半絶縁性GaAs1-1の一方の表面には、Alを用いてメッシュ状にパターニングされた半導体陽極2-2、もう一面には半導体陰極2-1が形成されている。又、半導体陽極の表面には、一種或いは複数種のCsやCsO等のアルカリ金属またはアルカリ酸化物1-7が吸着されている。半導体に電源3-1により0.5kV/cm以上の電界が印加されている為、半導体1-1内を流れる電流は増倍される状況にある。従って、半導体1-1内部を流れる電子4-3は増倍されながら半導体陽極面2-2に達し、容易に真空中へと放射され、外部陽極2-3に捕獲される。
Claim (excerpt)：
半絶縁性III -V族化合物半導体を電子放射陰極構成材料とし、これに一対の電極を設定し、前記半導体の厚み方向に2.5kV/cm以下の電界を印加する手段と、これにより生じる電子増倍を利用する手段と、これらの手段により内部増倍された電子をその半導体陽極側から真空中に引出し、外部電子放射をなさしめ、この外部電流を収容する外部陽極手段とを有する事を特徴とする電子放射デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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