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J-GLOBAL ID：200903003502923115

磁気抵抗効果膜

Inventor： 前田 篤志 ,  山野 耕治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187589
Publication number (International publication number)：1998032119
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 スピンバルブ構造を有する磁気抵抗効果膜において、従来より高いMR比を示す磁気抵抗効果膜を得る。【解決手段】 反強磁性層2,3、強磁性層4,5、非磁性導電層6及び強磁性層7,8をこの順序で備える磁気抵抗効果膜において、反強磁性層としてNiO層2とNiCoO層3の積層膜であり、NiCoO層が強磁性層側に設けられている積層膜を用いることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層及び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性層がNiO層とNiCoO層の積層膜であり、NiCoO層が前記強磁性層側に設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (3)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z