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J-GLOBAL ID：200903003509033140

半導体素子

Inventor： 井上 聡
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 光田 敦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999038225
Publication number (International publication number)：2000236100
Application date： Feb. 17, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜を設けずに、電極金属と半導体の単純な構成により、スイッチング及びメモリ機能を備えたショットキーダイオードを実現する。【解決手段】 キャリアをドープして半導体化した誘電体の一方の面に、ショットキー接続を構成する金属電極Aを形成するとともに、他方の面に、オーミック接続を構成する金属電極Bを形成し、両電極A,B間に、基準となる動作電圧がバイアスされている状態から、ショットキー接続の順方向のパルス電圧をかけた後、及び逆方向のパルス電圧をかけた後の上記動作電圧におけるそれぞれの電流密度は互いに相違するヒステリシス特性有し、これを利用してスイッチング素子又はメモリ素子として利用する。

Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体化した誘電体の一方の面に第1の電極を形成するとともに、他方の面に第2の電極を形成して成る半導体素子であって、上記半導体化した誘電体は、誘電体材料にキャリアをドープして形成されたものであり、上記第1の電極は、ショットキー接続を構成する金属で形成されており、上記第2の電極は、オーミック接続を構成する金属で形成されており、上記第1及び第2の電極の間に、基準となる動作電圧がバイアスされている状態から、上記ショットキー接続の順方向のパルス電圧をかけた後、及び逆方向のパルス電圧をかけた後の上記動作電圧におけるそれぞれの電流密度は互いに相違するヒステリシス特性を有することにより、スイッチング素子又はメモリ素子として利用可能であることを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/872 ,  H01L 27/10 451

FI (2)：

H01L 29/48 D ,  H01L 27/10 451

F-Term (13)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104GG03 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22