半導体不揮発性記憶装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999375149
Publication number (International publication number)：2001189390
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】電荷蓄積能を有する積層絶縁膜を有する半導体不揮発性記憶装置の積層絶縁膜を構成する窒化シリコン膜中に含まれる電荷トラップ密度を制御することができる半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を有する半導体基板10上に酸化シリコン膜21を形成し、次に積層絶縁膜の一部としてジクロロシランとアンモニアを原料とする化学気相成長法などにより窒化シリコン膜22を形成し、アンモニアガスなどの水素と窒素を含むガス雰囲気下での熱処理を行い、さらにN2 Oガス雰囲気下での熱処理を行う。次に窒化シリコン膜22の表面に熱酸化して酸化シリコン膜23を形成し、電荷蓄積機能を有する酸化膜-窒化膜-酸化膜の積層絶縁膜を形成する。次に、積層絶縁膜の上層にコントロールゲート電極を形成し、チャネル形成領域に接続するように基板中にソース・ドレイン領域を形成する。

Claim (excerpt)：

チャネル形成領域とコントロールゲート電極の間に電荷蓄積機能を有する積層絶縁膜を有する半導体不揮発性記憶装置の製造方法であって、チャネル形成領域を有する半導体基板上に前記積層絶縁膜を形成する工程と、前記積層絶縁膜の上層にコントロールゲート電極を形成する工程と、前記チャネル形成領域に接続するように前記基板中にソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記積層絶縁膜を形成する工程が、少なくとも窒化シリコン膜を形成する工程と、少なくとも水素と窒素を含むガス雰囲気下での前記窒化シリコン膜に対する熱処理工程とを含む半導体不揮発性記憶装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/318 , H01L 27/115

FI (4)：

H01L 21/318 A , H01L 21/318 B , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

F-Term (33)：

5F001AA14 , 5F001AB02 , 5F001AD17 , 5F001AG02 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F001AG40 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF63 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP77 , 5F083ER11 , 5F083GA30 , 5F083PR33 , 5F083ZA07 , 5F101BA46 , 5F101BB02 , 5F101BD07 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH16 , 5F101BH21

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