半導体基材の加工方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016524
Publication number (International publication number)：1993218053
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】単結晶表面を結晶性、表面平坦性が単結晶ウエハー並に優れた状態に加工するうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基材の加工方法を提案する。【構成】表面に単結晶を有する基体を該単結晶の融点以下の温度において還元性雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体基材の加工方法。

Claim (excerpt)：

表面に単結晶を有する基体を該単結晶の融点以下の温度において還元性雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体基材の加工方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平1-186576
特開平1-186576
特開平3-263830

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