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J-GLOBAL ID：200903003518688531

化合物半導体デバイスの製造方法

Inventor： 渡辺 和夫 ,  入戸野 巧 ,  山崎 肇
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342381
Publication number (International publication number)：1993152220
Application date： Nov. 30, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 p型炭素ドープ層を含む化合物半導体エピタキシャル結晶膜の電気的性能を効率よく向上し、それを使用して形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタ等の特性向上を図る化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。【構成】 半導体結晶基板1上にp型炭素ドープ層を含む化合物半導体エピタキシャル結晶膜30を水素を含む雰囲気中で成長する第1の工程と、前記化合物半導体エピタキシャル結晶膜の上に前記p型炭素ドープ層6を形成した際の雰囲気より低い水素分圧の雰囲気中、窒素中、不活性ガス中、真空中、その他の水素を含まない雰囲気中で半導体エピタキシャル膜を更に成長する第2の工程と、を含むことを特徴とする化合物半導体デバイスの製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体結晶基板上にp型炭素ドープ層を含む化合物半導体エピタキシャル結晶膜を水素を含む雰囲気中で成長する第1の工程と、前記化合物半導体エピタキシャル結晶膜の上に前記p型炭素ドープ層を形成した際の雰囲気より低い水素分圧の雰囲気中、或いは窒素中、或いは不活性ガス中、或いは真空中、或いはその他の水素を含まない雰囲気中で半導体エピタキシャル膜を更に成長する第2の工程と、を含むことを特徴とする化合物半導体デバイスの製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73