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J-GLOBAL ID：200903003542384977

フッ素樹脂レジストの分子設計方法

Inventor： 山崎 民雄
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004140006
Publication number (International publication number)：2005322795
Application date： May. 10, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：

【課題】 157nmリソグラフィにおけるフッ素樹脂レジストの透明性を向上させるためのレジスト分子の設計手法を提供する。【解決手段】 フッ素含有樹脂の骨格を抽出したモデル分子の構造を決定し、次いでこのモデル分子に結合している水素原子をフッ素原子に置換したフッ素置換モデル分子を決定する。このフッ素置換モデル分子について、分子軌道法を用いて分子軌道係数を算出した後、前記過程によって得られた分子軌道係数から、最低励起エネルギー値を算出し、前記最低励起エネルギー値から当該フッ素置換モデル分子の真空紫外光領域における吸収を評価する。これによってフッ素樹脂レジストの分子設計を行う。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

フッ素含有樹脂の骨格を抽出したモデル分子の構造を決定する過程と、 このモデル分子に結合している水素原子をフッ素原子に置換したフッ素置換モデル分子を決定する過程と、 このフッ素置換モデル分子について、分子軌道法を用いて分子軌道係数を算出する過程と、 前記過程によって得られた分子軌道係数から、最低励起エネルギー値を算出する過程と、 前記最低励起エネルギー値から当該フッ素置換モデル分子の真空紫外光領域における吸収を評価する過程とを少なくとも備えたことを特徴とするフッ素樹脂レジストの分子設計方法。

IPC (4)：

H01L21/027 ,  C08F32/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26

FI (4)：

H01L21/30 502R ,  C08F32/00 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/26 501

F-Term (19)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  4J100AR11P ,  4J100BB07P ,  4J100CA01 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-339439   Applicant：富士写真フイルム株式会社