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J-GLOBAL ID:200903003548378820
半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
横沢 志郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006059029
Publication number (International publication number):2007242664
Application date: Mar. 06, 2006
Publication date: Sep. 20, 2007
Summary:
【課題】耐COD特性を非破壊で検査することにより、耐COD特性が低い半導体レーザ素子を確実に排除可能な半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体レーザ素子10の製造後、あるいは光出射側の端面および反対側の端面にコーティング層16、17を形成した後、測定工程で、選別対象となる半導体レーザ素子10の逆方向電圧-逆方向電流特性の測定を行う。次に、選別工程では、逆方向電圧-逆方向電流特性の測定結果において、逆方向電圧を印加したときの逆方向電流レベルが低い半導体レーザ素子10を良品として選別する。このようにして選別された半導体レーザ素子10はいずれも、耐COD特性に優れている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
選別対象となる半導体レーザ素子の逆方向電圧-逆方向電流特性の測定を行う測定工程と、
当該測定結果において、逆方向電圧を印加したときの逆方向電流レベルが低い半導体レーザ素子、あるいは逆方向電流を印加したときの逆方向電圧が高い半導体レーザ素子を良品として選別する選別工程と
を有することを特徴とする半導体レーザ素子の選別方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (3):
5F173AR99
, 5F173SC05
, 5F173ZP01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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レーザー光源装置および光ピックアップ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-369481
Applicant:株式会社三協精機製作所
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