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J-GLOBAL ID：200903003553053824

光露光によるレジストマスクパターン形成方法

Inventor： 田渕 宏樹 ,  井口 勝次 ,  谷川 真 ,  森脇 浩之 ,  谷口 敬之
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323442
Publication number (International publication number)：1993047623
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 位相シフト効果による微細なレジストマスクパターンを形成すること。【構成】 レジスト層の上部に位相シフト層をパターン形成した位相シフターパターンを設けるようにした。【効果】 解像度を向上できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けたレジスト層の上部に、露光光の位相を反転する位相シフターパターンを形成し、その位相シフターパターンを含む半導体基板の表面を全面露光し、位相シフターパターンのエッジ下部の位置に、微細なレジストマスクパターンを形成することよりなる光露光によるレジストマスクパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-259257