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J-GLOBAL ID：200903003554794232
高インプラ抵抗の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073015
Publication number (International publication number)：1993243500
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 BTによる抵抗値変化の小さい高インプラ抵抗を得ることを目的とする。【構成】 P型の高インプラ抵抗層上部にイオン注入により濃度が1011〜1012イオン/cm2 オーダーの浅いN型の拡散層を形成することを特徴とするものである。
Claim 1：
第1導電型のエピタキシャル層又は基板にイオン注入によりシート抵抗が3kΩ/□以上の第1導電型と反対の第2の導電型の高インプラ抵抗層を形成し、該高インプラ抵抗層上部にイオン注入により濃度が1011〜1012イオン/cm2 オーダーの浅い第1導電型の拡散層を形成することを特徴とする高インプラ抵抗の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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