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J-GLOBAL ID：200903003559579887
多結晶シリコン薄膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡澤 英世 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994085565
Publication number (International publication number)：1995277721
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜の製造法と、その多結晶シリコン薄膜を使用した光起電力装置の提供。【構成】 ハロゲン含有ケイ素化合物を原料として、これを溶融塩中で電気分解して基板上に多結晶シリコン薄膜を形成させる。
Claim (excerpt)：
ハロゲン含有ケイ素化合物を原料とし、該原料を電気分解することにより基板上に多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。
IPC (4)：
C01B 33/03
, C01B 33/02
, C25C 3/34
, H01L 31/04
