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J-GLOBAL ID:200903003564359208
スパッタリングターゲット及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002012549
Publication number (International publication number):2002294439
Application date: Jan. 22, 2002
Publication date: Oct. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】 焼結体の作製時にクラックや割れが発生せず、製造歩留りが高く、かつ大電力でのスパッタを行っても割れが発生しない相変化記録媒体の保護膜形成に有用なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Zn、S、Si及びOからなる焼結体であって、焼結体内の密度のばらつきを所定値以下とした焼結体、すなわち、焼結体の任意の2点における相対密度の差の絶対値が3%以内である焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。また、焼結体の作成において、焼結圧力を段階的に増加させて加圧焼結を行なう。
Claim (excerpt):
硫化亜鉛及び二酸化ケイ素を主成分とする焼結体からなるスパッタリングターゲットにおいて、前記焼結体の任意の2点における相対密度の差の絶対値が3%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2):
C23C 14/34
, G11B 7/26 531
FI (2):
C23C 14/34 A
, G11B 7/26 531
F-Term (11):
4K029BA46
, 4K029BA51
, 4K029BA64
, 4K029BD12
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5D121AA04
, 5D121EE03
, 5D121EE09
, 5D121EE11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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