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J-GLOBAL ID：200903003567065434

半導体装置の製造方法

Inventor： 山村 官司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992029135
Publication number (International publication number)：1993226357
Application date： Feb. 17, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高周波かつ高速に最適なNPNトランジスタと、耐圧を十分に確保でき、高性能な縦型PNPトランジスタとの共存が実現でき、また、その製造工程が簡略化された半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 1つの半導体基板に第1のバイポーラトランジスタと縦型の第2のバイポーラトランジスタとを有する半導体装置の製造方法において、第1のバイポーラトランジスタを形成すべき基板の不純物拡散領域を縦型の第2のバイポーラトランジスタを形成すべき基板の不純物拡散領域よりも高い不純物濃度に形成した後、基板上にエピタキシャル成長層を形成することにより、そのエピタキシャル成長層側への第1のバイポーラトランジスタの拡散領域の這い上がり量を縦型の第2のバイポーラトランジスタの拡散領域の這い上がり量よりも大きくする。

Claim (excerpt)：

同一の半導体基板に第1のバイポーラトランジスタと縦型の第2のバイポーラトランジスタとを有する半導体装置の製造方法において、上記第1のバイポーラトランジスタを形成すべき上記基板の不純物拡散領域を上記縦型の第2のバイポーラトランジスタを形成すべき上記基板の不純物拡散領域よりも高い不純物濃度に形成した後、上記基板上にエピタキシャル成長層を形成することにより、そのエピタキシャル成長層側への上記第1のバイポーラトランジスタの拡散領域の這い上がり量を上記縦型の第2のバイポーラトランジスタの拡散領域の這い上がり量よりも大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/082

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/08 101 C