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J-GLOBAL ID：200903003572416865

不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法

Inventor： 原 英樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991354695
Publication number (International publication number)：1993174588
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、データ消去時に周辺トランジスタに悪影響を及ぼさず、且つ、動作スピードの速い不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。【構成】 本発明は、半導体基板(1,2,3)上でチャネルによって分離されたドレイン及びソースと、チャネル,ドレイン,ソース上の少なくとも一部に絶縁層5を介して形成されたフローティングゲート6と、フローティングゲート上に絶縁層7を介して形成されたコントロールゲート8とを有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルのデータを所定のセクタ単位で電気的に選択消去する際に、消去されるべき所定のセクタ内の選択メモリセルのフローティングゲート8に蓄積されている電荷を引き抜くように、選択メモリセルのドレイン,ソース及びチャネルに、それぞれ接地電位もしくは接地電位より高い正の電位、例えば5Vを与え、選択メモリセルのコントロールゲートに、接地電位より低い負の電位、例えば-12Vを与えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上でチャネルによって分離されたドレイン及びソースと、前記チャネル,ドレイン,ソース上の少なくとも一部に絶縁層を介して形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に絶縁層を介して形成されたコントロールゲートとを有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルのデータを所定のセクタ単位で電気的に選択消去する際に、消去されるべき前記所定のセクタ内の選択メモリセルの前記フローティングゲートに蓄積されている電荷を引き抜くように、前記選択メモリセルのドレイン,ソース及びチャネルに、それぞれ接地電位もしくは接地電位より高い正の電位を与え、前記選択メモリセルのコントロールゲートに、接地電位より低い負の電位を与えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータ消去方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-108293
  
• 特開平2-223097
  
• 特開平3-219496