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J-GLOBAL ID:200903003583650240
光応答性装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1996516716
Publication number (International publication number):1997508504
Application date: Nov. 21, 1995
Publication date: Aug. 26, 1997
Summary:
【要約】第1の電極及び第2の電極(3及び4)を、光反応性ゾーン(2)の第1及び第2の主要表面のそれぞれの上に設ける。光反応性ゾーン(2)は、第1の半導電性ポリマーの領域(2a)及び第1の半導電性ポリマーから相分離された第2の半導電性ポリマーの領域(2b)を含むポリマー混合物の形態である。第2の半導電性ポリマーは、第1の半導電性ポリマーよりも高い電子親和力を有し、その結果、装置(1)の使用において、第1の電極と第2の電極(3及び4)との間の光電流は、第2の半導電性ポリマーを主として通る電子及び第1の半導電性ポリマーを主として通る孔を含む光反応性層上の光入射から得られる。
Claim (excerpt):
光応答性装置において、第一及び第二の主要面を有する光応答圏域と、光反応答圏域の第一及び第二の主要面上に夫々設けた第一及び第二の電極とを有し、光応答圏域が第一半導電性ポリマーの領域と、第一半導電性ポリマーから相分離された第二半導電性ポリマーの領域とを有するポリマー混和物を有し、第二半導電性ポリマーが第一半導電性ポリマーよりも大きい電子親和性を有し、従って使用時には光応答層に入射する光から由来する第一及び第二の電極間の光電流が第二半導電性ポリマーを支配的に通過する電子と、第一半導電性ポリマーを支配的に通過する正孔とを有することを特徴とする光反応性装置。
IPC (6):
H01L 51/10
, H01L 31/08
, H01L 31/10
, H01L 51/00
, C08G 61/10 NLF
, C08G 61/12 NLJ
FI (5):
H01L 31/08 T
, C08G 61/10 NLF
, C08G 61/12 NLJ
, H01L 31/10 A
, H01L 29/28
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