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J-GLOBAL ID：200903003591769841

ビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法

Inventor：
本間 英夫

About 本間 英夫

, 
三浦 修平

About 三浦 修平

, 
小山田 仁子

About 小山田 仁子


Applicant, Patent owner：
本間 英夫

About 本間 英夫

, 
荏原ユージライト株式会社

About 荏原ユージライト株式会社


Agent (1)： 小野 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002052070
Publication number (International publication number)：2003253490
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Sep. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ビアホール及びスルーホールが混在する基板において、簡単な操作で、ビアホール内に効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することができる技術を提供すること。【解決手段】 ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、酸性銅めっきを次の条件(1)および(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で15〜180分間
Claim (excerpt)：
ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、酸性銅めっきを次の条件(1)および(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で15〜180分間
IPC (6)：
C25D 7/00 ,  C25D 3/38 ,  C25D 5/18 ,  C25D 5/34 ,  H05K 3/42 610 ,  H05K 3/46
FI (6)：
C25D 7/00 J ,  C25D 3/38 ,  C25D 5/18 ,  C25D 5/34 ,  H05K 3/42 610 B ,  H05K 3/46 N
F-Term (44)：
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023BA26 ,  4K023BA29 ,  4K023CB03 ,  4K023CB05 ,  4K023CB13 ,  4K023CB21 ,  4K023CB28 ,  4K023CB33 ,  4K023DA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB09 ,  4K024AB17 ,  4K024BA11 ,  4K024BB11 ,  4K024BC01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024DA10 ,  4K024GA16 ,  5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC35 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01 ,  5E317GG16 ,  5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346FF04 ,  5E346FF07 ,  5E346FF15 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346HH07 ,  5E346HH33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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