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J-GLOBAL ID：200903003602808488

熱発電素子の製造方法

Inventor： 原 裕一郎 ,  竹田 敏和 ,  加藤 雅之 ,  瀧田 茂生 ,  奥村 英二 ,  松見 裕
Applicant, Patent owner： いすゞ自動車株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992348962
Publication number (International publication number)：1994204572
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型半導体及びn型半導体を構成する材料を選ばず、接合強度に優れた熱発電素子を得ることができる熱発電素子の製造方法を提供する。【構成】 p型半導体の原料粉末11からなる母粒子13の周囲にCuOの子粒子15を付着させてp型カプセル粒子16を形成すると共に、n型半導体の原料粉末12からなる母粒子14の周囲にCuOの子粒子15を付着させてn型カプセル粒子17を形成し、一の成形型内に上記p型カプセル粒子16とn型カプセル粒子17とを分割して装入後、焼結成形するものである。

Claim (excerpt)：

p型半導体の原料粉末からなる母粒子の周囲にCuOの子粒子を付着させてp型カプセル粒子を形成すると共に、n型半導体の原料粉末からなる母粒子の周囲にCuOの子粒子を付着させてn型カプセル粒子を形成し、一の成形型内に上記p型カプセル粒子とn型カプセル粒子とを分割して装入後、焼結成形してp型半導体とn型半導体とを直接接合するようにしたことを特徴とする熱発電素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 35/14 ,  C01B 33/06 ,  H01L 35/34