Pat
J-GLOBAL ID：200903003604511075
CVD成膜装置およびCVD成膜方法
Inventor：
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998178169
Publication number (International publication number)：1999067693
Application date： Jun. 10, 1998
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 Al/Cu積層膜を高スループットでしかも装置の大型化をもたらさずに得ることができるCVD成膜装置およびCVD成膜方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハWが収容されるチャンバー1と、チャンバー1内に設けられた半導体ウエハWを載置するためのサセプター2と、チャンバー1内にAl原料を導入するAl原料供給系20と、チャンバー1内にCu原料を導入するCu原料供給系40とを具備する装置を用い、チャンバー1内で、半導体ウエハWに対し、Al原料によるAl膜のCVD成膜とCu原料によるCu膜のCVD成膜を独立して行う。
Claim (excerpt)：
被処理体が収容されるチャンバーと、前記チャンバー内に設けられた被処理体を載置するための載置台と、前記チャンバー内にAl原料を導入するAl原料供給系と、前記チャンバー内にCu原料を導入するCu原料供給系と、を具備し、前記チャンバー内で、前記被処理体に対し、Al原料によるAl膜のCVD成膜と、Cu原料によるCu膜のCVD成膜を独立して行うことを特徴とするCVD成膜装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/285 C
, C23C 16/06
