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J-GLOBAL ID：200903003610735104

イオントフォレシス型の経皮投薬用素子

Inventor： 笠野 宏之
Applicant, Patent owner： 株式会社ポリトロニクス
Agent (1)： 高崎 芳紘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997321457
Publication number (International publication number)：1999151303
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 イオントフォレシス型経皮投薬用素子に関し、低電圧でも効率的に高分子薬剤イオンを経皮浸透させ得る生体電池駆動素子の提供を目的とする。【解決手段】 被浸透薬剤分散基材層3の上部に、第2の導電性鉱物層8を積層する。基材層3の下部に絶縁層2を設ける。この絶縁層には、複数の中空絶縁体針4がある。更に、絶縁層の皮接面の一部に第1の導電性鉱物層1を設ける。そして、第1、第2の鉱物層1と8とは電気的に接続する。第1、第2の導電性鉱物層1、2の素材は、互いに、電子親和力の異なる金属又は半導体より成る。使用時は、導電性鉱物1を皮接すると中空絶縁体針4が表皮下層まで穿皮され針内を充満する導電性液によって電気的閉回路が形成される。第1、第2の鉱物層1と8とで得られる生体電池が起電して絶縁体針内を経由する選択的なイオントフォレシスが惹起する。

Claim (excerpt)：

被浸透薬剤層と、薬剤層の第1の表面側に積層され、薬剤層と反対側の面が皮接面となる絶縁層と、絶縁層に設けられ、その中空部分が導電的に薬剤層につながり又はつながることが可能であって、且つその針部が皮接面から外部に突出する形状をなす、中空絶縁体針と、絶縁層の皮接面に設けられ、皮接面の一部をなす、金属または半導体Aから成る自由表面を有する第1の導電性鉱物と、上記薬剤層の第2の表面側に接して設けられ、且つ第1の導電性鉱物と電気的につながり、前記Aとは異なる電子親和力を有する金属または半導体Bから成る自由表面を有する第2の導電性鉱物と、より成るイオントフォレシス型の経皮投薬用素子。

IPC (2)：

A61N 1/30 ,  A61M 37/00

FI (2)：

A61N 1/30 ,  A61M 37/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 皮接治療具
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-024245   Applicant：株式会社ポリトロニクス
• 経皮システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-517292   Applicant：ノバルティスアクチェンゲゼルシャフト