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J-GLOBAL ID：200903003611431176

半導体素子の作成方法

Inventor： 川瀬 大助 ,  大野 俊之 ,  岩崎 貴之 ,  八尾 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118126
Publication number (International publication number)：1996316164
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】高耐圧炭化珪素半導体素子作成に必要なプレーナ型高耐圧p-n接合形成のための局所的不純物ドーピング方法を提供する。【構成】SiC基板表面にイオン注入やCVDにより不純物層を形成した後、高温において水素イオンを照射する。【効果】SiCにおいて拡散層が形成でき、高耐圧のpn接合が得られる。

Claim (excerpt)：

バンドギャップが2.0eV 以上の半導体単結晶により構成される半導体素子を作成する方法において、前記単結晶の表面側にエピタキシャル成長もしくはイオン注入法により不純物ドーピングした層を形成した後に、前記半導体単結晶を500°C乃至1500°Cに加熱しながら前記表面側から水素イオンまたはγ線を照射することにより前記不純物ドーピング層から前記単結晶深部への不純物を拡散させることを特徴とする半導体素子の作成方法。

IPC (6)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861

FI (6)：

H01L 21/225 P ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/26 Z ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 F