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J-GLOBAL ID：200903003612024191

光起電力素子

Inventor： 佐野 景一 ,  石田 聡
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 山田 義人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993176366
Publication number (International publication number)：1995038127
Application date： Jul. 16, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ガラス基板12上にNiの薄膜導電体14,炭化シリコンの薄膜半導体16およびAlの薄膜導電体18を順に積層形成する。入射光を薄膜導電体14で吸収し、電子を励起する。励起された電子は、光から受け取った運動量,薄膜半導体16内部の電界等によって、薄膜導電体18に移動する。薄膜導電体18に到達した電子は、端子20,外部負荷および端子22を通じて光入射側の薄膜導電体14に戻る。これによって光起電力が生じる。【効果】 簡単な構造で光電変換効率の高い光起電力素子が得られる。

Claim (excerpt)：

光入射側より、主に光吸収を呈する第1導電体,酸化物または窒化物を含む絶縁体および第2導電体を積層して形成される、光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-222678
  
• 特開昭57-013777
  
• 特開平1-214078