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J-GLOBAL ID：200903003612899368

パターン形成方法、並びに電子素子、光学素子及び回路基板

Inventor： 八尾 健
Applicant, Patent owner： 八尾 健 ,  ホーヤ株式会社
Agent (1)： 津国 肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999284494
Publication number (International publication number)：2001110801
Application date： Oct. 05, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基材の表面に、金属酸化物の薄膜からなる均質性に優れた微細なパターンを形成する際に高温加熱が不要な方法を提供する。【解決手段】 (a)基材上のパターンを形成する面について、酸化物層を形成しない領域を、被覆材で被覆する工程;(b)上記の基材のパターン形成面の全面に、フッ化物イオン捕捉剤の存在下に、アルカリ土類金属、遷移金属などからなる群より選ばれる1種以上の元素のフルオロ金属錯化合物などの水溶液若しくはフッ化水素酸溶液を適用して、上記の元素の酸化物などの層を形成させる工程;並びに(c)上記の被覆材及びその表面に形成された上記の層を除去する工程を含む、基材の表面に、所望のパターンを有する層を形成する方法。

Claim (excerpt)：

(a)基材上のパターンを形成する面について、酸化物層を形成しない領域を、被覆材で被覆する工程;(b)上記の基材のパターン形成面の全面に、フッ化物イオン捕捉剤の存在下に、アルカリ土類金属、遷移金属、ガリウム、インジウム、ケイ素、スズ、鉛、アンチモン及びビスマスからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素のフルオロ金属錯化合物及び/又は金属フッ化物の水溶液若しくはフッ化水素酸溶液を適用して、上記の元素の酸化物層を形成させる工程;並びに(c)上記の被覆材及びその表面に形成された上記の層を除去する工程を含む、基材の表面に、所望のパターンを形成する所望の元素の酸化物層を形成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (2)：

H01L 21/316 B ,  H01L 39/24 ZAA F

F-Term (12)：

4M113AD36 ,  4M113BA23 ,  4M113BA25 ,  4M113BC02 ,  4M113CA33 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB07 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01